IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，帶有續(xù)流二極管。

       由于寄生參數(shù)以及負載特性的影響，IGBT的實際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動波形較為理想化，集電極電流以及集電極——發(fā)射極電壓的波形大致上是實際波形，只有細節(jié)被理想化。

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